Магнитная изоляция ионного диода используемого для получения мощного ионного пучка

Литературный перевод. — Magnetically insulation of the ion diode used for high-intensity pulsed ion beam. Elseiver. Surface and Coatings Technology 201 (2007) pp. 5264–5268.Исследовано влияние магнитного поля на характеристик мощного ионного пучка (МИП) получаемого при помощи магнитоизолированного диода (МИД) с использованием внешнего магнитного поля в установке ТЕМП-
6. В отсутствии магнитного поля perveance P (P=I(t)/[V(t)]3/2) быстро увеличивается после генерации плазмы в диоде, показывая краткость импульса в случае быстрого движения плазмы в диоде. При увеличении магнитного поля от 1.1Bcrit до 1.7Bcrit, perveance P медленно увеличивается, происходит уменьшение диодного тока с одновременным ростом плотности ионного тока, повышение ионного тока и эффективности ионного пучка приводит к эффективному сжатию потока плазмы в диоде. Плотность ионного тока 350 A/см2, диодный ток 37 кA КПД ионного пучка около 30% при магнитном поле 1.7Bcrit. perveance P увеличивается более медленно с увеличением магнитного поля до 2Bcrit, плотность ионного тока падает до 190 A/см2 с уменьшением диодного тока до 24 кA и уменьшением тока извлеченных ионов до 7 кA, поскольку КПД в данном случае подобен КПД при 1.7Bcrit следует вывод, что поток плазмы в диоде сильно замедляется. Величина внешнего магнитного поля МИДа ТЕМПа в 1.7Bcrit приводит к повышению КПД МИП, для модификации поверхности материалов, до 30% при пиковом напряжении в импульсе 420 кВ и ускоряющем напряжении 350 кВ c шириной импульса 70 нс, с плотностью ионного тока 350 A/см2, диодным током 37 кA, током извлеченных ионов 11 кA.